schliessen

Filtern

 

Bibliotheken

Molecular Beam Deposition (MBD) and characterisation of high-k material as alternative gate oxides for MOS-technology / von Vanessa Capodieci

PPN (Catalogue-ID): 513562893
Nebentitel: MBD
Personen: Capodieci, Vanessa [VerfasserIn]
Format: Book Book
Language: English
Published: Berlin, Mensch-und-Buch-Verl., 2006
Hochschule: Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005
Basisklassifikation: 52.78 Oberflächentechnik Wärmebehandlung
53.56 Halbleitertechnologie
Subjects:

Dielektrische Schicht

Gate-Oxid

Aluminiumoxide

Praseodymoxide

Lanthanoxid

Molekularstrahlepitaxie

Hochschulschrift

Dielektrische Schicht / Gate-Oxid / Aluminiumoxide / Praseodymoxide / Lanthanoxid / Molekularstrahlepitaxie

Physical Description: 116 S, Ill. und graph. Darst., 210 mm x 148 mm
ISBN: 3-86664-067-6
978-3-86664-067-2

Similar Items

Vorhandene Hefte/Bände

more (+)

Informationen zur Verfügbarkeit werden geladen

Staff View
LEADER 02294nam a2200553 c 4500
001 513562893
003 DE-601
005 20121230230035.0
008 060621s2006 gw 000 0 eng d
015 |a 06N270908  |2 dnb 
016 7 |a 980006066  |2 DE-101 
020 |a 3866640676 (Gb.)  |c EUR 29.00  |9 3-86664-067-6 
020 |a 9783866640672  |9 978-3-86664-067-2 
035 |a (OCoLC)255569293 
040 |b ger  |c GBVCP 
041 0 |a eng 
082 0 9 |a 530 
084 |a 52.78  |9 Oberflächentechnik  |9 Wärmebehandlung  |2 bkl 
084 |a 53.56  |9 Halbleitertechnologie  |2 bkl 
100 1 |a Capodieci, Vanessa  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a Molecular Beam Deposition (MBD) and characterisation of high-k material as alternative gate oxides for MOS-technology  |c von Vanessa Capodieci 
246 3 0 |a MBD 
264 3 1 |a Berlin  |b Mensch-und-Buch-Verl.  |c 2006 
300 |a 116 S.  |b Ill. und graph. Darst.  |c 210 mm x 148 mm 
502 |a Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005 
650 7 |0 (DE-601)104622733  |0 (DE-588)4194257-7  |a Dielektrische Schicht  |2 gnd 
650 7 |0 (DE-601)104530332  |0 (DE-588)4269383-4  |a Gate-Oxid  |2 gnd 
650 7 |0 (DE-601)106396609  |0 (DE-588)4001590-7  |a Aluminiumoxide  |2 gnd 
650 7 |0 (DE-601)367239264  |0 (DE-588)4740848-0  |a Praseodymoxide  |2 gnd 
650 7 |0 (DE-601)224716425  |0 (DE-588)4441515-1  |a Lanthanoxid  |2 gnd 
650 7 |0 (DE-601)105402664  |0 (DE-588)4170399-6  |a Molekularstrahlepitaxie  |2 gnd 
653 |a Hochschulschrift 
689 0 0 |A s  |0 (DE-601)104622733  |0 (DE-588)4194257-7  |a Dielektrische Schicht 
689 0 1 |A s  |0 (DE-601)104530332  |0 (DE-588)4269383-4  |a Gate-Oxid 
689 0 2 |A s  |0 (DE-601)106396609  |0 (DE-588)4001590-7  |a Aluminiumoxide 
689 0 3 |A s  |0 (DE-601)367239264  |0 (DE-588)4740848-0  |a Praseodymoxide 
689 0 4 |A s  |0 (DE-601)224716425  |0 (DE-588)4441515-1  |a Lanthanoxid 
689 0 5 |A s  |0 (DE-601)105402664  |0 (DE-588)4170399-6  |a Molekularstrahlepitaxie 
689 0 |5 DE-101 
775 0 8 |t Auch als elektronische Ressource erschienen 
912 |a SYSFLAG_1 
912 |a GBV_GVK 
912 |a GBV_ILN_60 
912 |a GBV_ILN_70 
951 |a BO 
980 |2 60  |1 01  |b 770148808  |f MB  |d PHY 866:YC0025  |e u  |x 0705  |y z  |z 04-07-06 
980 |2 70  |1 01  |b 76970221X  |d T 06 B 5652  |e u  |x 0089  |y z  |z 11-08-06 
983 |2 60  |1 00  |8 04  |a PHY 866 
983 |2 60  |1 00  |8 10  |a HO