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Untersuchung des Wachstums, der strukturellen und der elektronischen Eigenschaften von ultradünnen Manganoxidfilmen auf Pt(111) mittels Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie sowie Beugung niederenergetischer Elektronen / von Benjamin Bochmann

Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie; atomare und elektronische Struktur; In-situ-Wachstum; Übergangsmetalloxide; MnO(100); MnO(111); Mn3O4; Oxidation; Reduktion

PPN (Catalogue-ID): 642400245
Personen: Bochmann, Benjamin
Widdra, Wolf [Gutachter]
Ebbinghaus, Stefan [Gutachter]
Denecke, Reinhardt [Gutachter]
Format: eBook eBook
Language: German
Sprache der Zusammenfassung: Englisch
Published: 2010
Hochschule: Halle, Univ., Naturwissenschaftliche Fakultät II, Diss., 2010
Basisklassifikation: 35.45
33.68
Formangabe: Hochschulschrift
Notes: Tag der Verteidigung: 13.07.2010
Physical Description: Online-Ressource (167 S. = 19,08 mb), graph. Darst., Ill.

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520 |a Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Wachstum, der atomaren und elektronischen Struktur von ultradünnen Manganoxidfilmen mit einer Schichtdicke von bis zu 6 ML auf einer (111)-orientierten Platinoberfläche. Die Filme wurden mittels STM/STS und LEED bei Temperaturen zwischen 300 und 470 K untersucht. Abhängig vom Sauerstoffpartialdruck während der In-situ-Mangandeposition wachsen auf dem Pt(111)-Substrat gut geordnete epitaktische Filme, die sich drei verschiedenen Manganoxidphasen zuordnen lassen. In einer Sauerstoffatmosphäre zwischen 10-8 und 10-7 mbar und einer gleichbleibenden Depositionsrate von 1 ML pro Stunde wächst ein quadratischer MnO(100)-artiger Film, während bei höheren Drücken zwischen 10-6 bis 10-5 mbar eine hexagonale MnO(111)-artige „Wagenrad“-Struktur beobachtet werden konnte. Im Partialdruckbereich zwischen 10-7 bis 10-6 mbar wurde eine komplexe atomare Struktur gefunden, die einer MnO3O4-Phase zugeordnet werden kann. Mittels Echtzeit-STM ist gezeigt worden, dass sich MnO(100)-Filme in MnO3O4- und MnO(111)-Phasen mit höherem Sauerstoffgehalt oxidieren lassen, die wiederum zu dem langzeitstabilen MnO(100)-artigen Oxid reduziert werden können. Die ersten beiden Monolagen des MnO(100)-artigen Oxids zeigen metallisches Verhalten. Eine Bandlücke von 3,5 eV bildet sich ab einem 4 ML dicken MnO(100)-Film aus. 
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