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Hydrid-Gasphasenepitaxie von freistehenden semi-isolierenden GaN-Wafern : Projekt "TeleGaN" : Abschlussbericht : 01.01.2012-31.12.2015 = Hydride vapour phase epitaxy of free-standing semi-insulating GaN wafers / Universität Ulm, Institut für Optoelektronik ; Projektleiter: Prof. Dr. Ferdinand Scholz ; Bearbeiter: Apl. Prof. Dr. Klaus Thonke, Dipl.-Ing. Martin Klein, Dr. Ingo Tischer, Dr. Benjamin Neuschl, Dipl.-Phys. Matthias Hocker, Dipl.-Phys. Sebastian Bauer

PPN (Catalogue-ID): 880046880
Nebentitel: TeleGaN-Projekt Uni Ulm 2012-2015: Abschlussbericht
Personen: Scholz, Ferdinand [VerfasserIn]
Thonke, Klaus [VerfasserIn]
Klein, Martin [VerfasserIn]
Tischer, Ingo [VerfasserIn]
Neuschl, Benjamin [VerfasserIn]
Hocker, Matthias [VerfasserIn]
Bauer, Sebastian [VerfasserIn]
Cooperations/Conferences: Universität Ulm Abteilung Optoelektronik [Herausgebendes Organ]
Format: eBook eBook
Language: German
Mit deutscher und englischer Zusammenfassung
Published: Ulm, Universität Ulm, Institut für Optoelektronik, [2016?]
Basisklassifikation: 52.78 Oberflächentechnik Wärmebehandlung
33.68 Oberflächen Dünne Schichten Grenzflächen
33.72 Halbleiterphysik
Subjects:

Galliumnitrid

Hydridgasphasenepitaxie

Galliumnitrid / Hydridgasphasenepitaxie

Formangabe: Forschungsbericht
Notes: Förderkennzeichen BMBF 16BM1205. - Verbund-Nummer 01110786
Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Physical Description: 1 Online-Ressource (37 Seiten, 1,16 MB), Illustrationen, Diagramme.

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